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Si4100DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
4
V GS = 10 V thru 7 V
6V
5V
20
16
12
8
4
T C = 125 °C
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
0.20
0.16
0.12
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
800
600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.08
V GS = 6 V
V GS = 10 V
400
0.04
200
C oss
C rss
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
20
40
60
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 4.4 A
2.0
V GS = 6 V, 10 V
8
V DS = 50 V
1.8
I D = 4.4 A
1.6
6
V DS = 8 0 V
1.4
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69251
S09-0220-Rev. B, 09-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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